冶煉硅鐵時在反應中的二氧化硅首先破壞被還原成一氧化硅。部分的一氧化硅氣體在上升過程中與料層中焦炭接觸并作用后，較易生成碳化硅。其反應如下：

SiO+2C=SiC+CO↑

冶煉過程中，焦炭加入量過多時，更易產生碳化硅。其反應式如下：

SiO2+3C=SiC+2CO↑

往往在修爐時于料層內部發(fā)現大量碳化硅﹙冷卻后呈褐色，稍有光澤并是針狀結晶﹚，說明產生碳化硅的反應是存在的，并且是中間產物。

碳化硅SiC的熔點約為2500℃，不易熔化，電阻小，導電性強。因此，爐中積存過多碳化硅，使爐況惡化。雖然碳化硅易產生，但在冶煉中由于爐料中有鋼屑，碳化硅較輕易被鐵﹙Fe﹚破壞，其反應式如下：

SiC+Fe=FeSi+C

冶煉45硅鐵，因爐料中鋼屑較多，碳化硅更易破壞，所以，碳化硅對爐況沒有影響。碳化硅在高溫時，還可被二氧化硅所破壞，其反應式如下：

SiO2+2SiC=3 Si+2CO↑

2SiO2+SiC=3SiC+CO↑

較大容量硅鐵電爐，因爐溫高，碳化硅更易被破壞。碳化硅在高溫時還可以被一氧化硅破壞，其反應式如下：

SiO+SiC=2Si+CO↑

較小容量的電爐中冶煉硅鐵時，由于爐內溫度較低，破壞碳化硅的反應，不易充分進行，因此，有時有較多的碳化硅存在爐內，因它的熔點高，導電性強，致使電極不能較深地插入爐內，造成爐況惡化。此種情況在較小容量的硅鐵電爐是比較經常發(fā)現的，為了糾正這種不正?，F象，應將爐中碳化硅盡量掘出，或附加些鋼屑破壞碳化硅，同時適當地減少焦炭加入量，以改善爐況。